產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
    

MD picts溫度依賴型壽命測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)材料電學(xué)特性進(jìn)行非接觸、無損傷的單點(diǎn)測(cè)量?？傮w而言，MD-PICTS設(shè)備適用于多種材料及不同制備階段的測(cè)量，涵蓋硅原料、裸片、各類中間制備階段樣品，以及砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物半導(dǎo)體。該系統(tǒng)可檢測(cè)電阻率高于 0.3 Ω cm的單晶硅與多晶硅，重要聚焦缺陷、少子壽命及光電導(dǎo)的溫度依賴型測(cè)量，同時(shí)可檢測(cè)硅中的污染物及電活性晶體中的缺陷，具備微波光電導(dǎo)衰減瞬態(tài)（μPCD）和穩(wěn)態(tài)（MDP）測(cè)量功能。

碲鎘汞｜碳化硅 | 化合物半導(dǎo)體 | 氧化物 | 寬帶隙材料 | 鈣鈦礦| 外延層

[ HgCdTe | SiC | InP | ZnS | CdTe | GaAs | GaN | Ge ]  and more 

重點(diǎn)優(yōu)勢(shì)： 

1）賦能材料缺陷根源分析：無損傷、高靈活、高精度

2）采用斯特林制冷器(Stirling refrigerator)冷卻，無需操作液氮

3）針對(duì)各類材料的定制化激光與光學(xué)集成方案

4）全自動(dòng)溫度依賴型測(cè)量

5）MDpicts可覆蓋幾乎所有半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性表征

技術(shù)規(guī)格：   

應(yīng)用案例： 

光電導(dǎo)測(cè)量與陷阱態(tài)分析

弗萊貝格儀器（Freiberg Instruments）的MDPmap與MDpicts系統(tǒng)，配備355 nm激光器（適配瞬態(tài)微波光電導(dǎo)衰減法μ-PCD）或375 nm激光二極管（適配穩(wěn)態(tài)微波光電導(dǎo)法MDP），適用于寬帶隙氮化物半導(dǎo)體的光電導(dǎo)測(cè)量與陷阱態(tài)分析。n 型摻雜的均勻性可通過光電導(dǎo)信號(hào)（信號(hào)強(qiáng)度）進(jìn)行分析，該信號(hào)與材料的電阻率及載流子壽命密切相關(guān)。

微波探測(cè)光致電流瞬態(tài)譜（MD-PICTS）

在半導(dǎo)體缺陷研究中，溫度依賴型方法的應(yīng)用極為普遍，例如深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）。

碳化硅（SiC）的少子壽命測(cè)量

近年來，碳化硅（SiC）材料的質(zhì)量已取得很大的進(jìn)步，因此在大功率器件等應(yīng)用場(chǎng)景中，碳化硅正日益成為硅（Si）材料的有力競(jìng)爭(zhēng)者。作為寬帶隙半導(dǎo)體，SiC相較于硅具有諸多優(yōu)勢(shì)。少子壽命是影響半導(dǎo)體器件性能的重要參數(shù)之一，尤其對(duì)于SiC在高壓器件中的應(yīng)用而言至關(guān)重要。因此，有必要通過壽命工程優(yōu)化，使特定器件實(shí)現(xiàn)*性能。為了以高良率制造碳化硅器件，不僅需要高分辨率的材料表征技術(shù)，還需借助相關(guān)方法探究SiC中的缺陷根源，從而進(jìn)一步提升材料質(zhì)量。